特許
J-GLOBAL ID：200903074318199883
フォトトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164229
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017208
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】横方向からの光入射が可能であり、高受光感度であり、かつ、高速のフォトトランジスタを提供する。【解決手段】コレクタ層14、15に対しベース層16の反対側と、エミッタ層17に対しベース層16の反対側に光ガイド層13、18を設け、該光ガイド層13、18を含む半導体積層構造が光導波路構造となるように構成し、該光導波路を伝搬する光の導波モードがマルチモードとなるように前記半導体積層構造の各半導体層の膜厚および組成を設定した。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有するエミッタ層、第2の導電型を有するベース層、および第1の導電型を有するコレクタ層をこの順番に積層した構造を含んでなり、前記エミッタ層、もしくは、前記エミッタ層および前記コレクタ層が、前記ベース層よりもバンドギャップエネルギーの大きな半導体からなるヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、前記エミッタ層中、もしくは、前記エミッタ層に対し前記ベース層とは反対側部分、もしくは、前記コレクタ層中、もしくは、前記コレクタ層に対しベース層とは反対側部分、の少なくとも1つに光ガイド層となる半導体層を設け、前記光ガイド層となる半導体層を含む半導体積層構造が光導波路構造となるように構成し、かつ、前記光導波路を伝搬する光の導波モードがマルチモードとなるように前記半導体積層構造の各半導体層の膜厚および組成を設定したことを特徴とするフォトトランジスタ。
引用特許：
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