特許
J-GLOBAL ID：200903074322513720
膜電極アセンブリを作製するためのプロセスおよびそれによって作製される膜電極アセンブリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146810
公開番号（公開出願番号）：特開2002-352810
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 薄い高分子電解質膜の処理のために特に適切である膜電極アセンブリを作製するための単純で費用効果的なプロセス、およびこのプロセスを使用して作製された膜電極アセンブリを提供すること。【解決手段】 本発明は、膜電極アセンブリを作製する方法を提供し、この方法は、(a)2つの対向する面を有する高分子電解質膜の各対向する面に気体分配層を適用する工程;および(b)この電解質膜とこの触媒層とこの疎水化炭素基板との間に強固な結合を確立するように、この触媒層が湿ったままで、圧力下、高温下で膜電極アセンブリを処理して、それによって膜電極アセンブリを作製する工程、を包含する。
請求項（抜粋）：
膜電極アセンブリを作製する方法であって、該方法は、以下:(a)2つの対向する面を有する高分子電解質膜の各対向する面に気体分配層を適用する工程であって、ここで、各対向する面の上の該気体分配層が、疎水化炭素基板によって形成され、そしてここで、該疎水化炭素基板が、触媒層を形成するための、少なくとも1つの触媒、溶解したイオノマーおよび溶媒を有する1以上のインクを、該高分子電解質膜の各対向する面上に有する、工程;および(b)該電解質膜と該触媒層と該疎水化炭素基板との間に強固な結合を確立するように、該触媒層が湿ったままで、圧力下、高温下で膜電極アセンブリを処理して、それによって膜電極アセンブリを作製する工程、を包含する、方法。
IPC (3件)：
H01M 4/88
, H01M 8/02
, H01M 8/10
H01M 4/88 Z
, H01M 8/02 E
, H01M 8/10
5H018AA06
, 5H018AS02
, 5H018AS03
, 5H018BB01
, 5H018BB03
, 5H018BB08
, 5H018DD05
, 5H018EE05
, 5H018HH05
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB02
, 5H026BB04
, 5H026CX02
, 5H026EE05
, 5H026HH05
