特許

J-GLOBAL ID：200903074324552854

半導体装置の製造方法

発明者： 民谷 直幹 ,  小暮 里英
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163572
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353802
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 誘導結合型プラズマを用いて等価回路で表した場合に保護ダイオードに接続されるような配線加工を行うと、電気遮蔽効果によりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され、トランジスタ性能が低下するという問題の解決を図る。【解決手段】 半導体基板11に形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタ21のゲート電極22に接続された第1の配線31と、半導体基板11に接続された第2の配線32とを有し、かつ第1の配線31と第2の配線32とが近接して設けられている構造の半導体装置の製造方法において、誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて、エッチング加工により第1の配線31と第2の配線32とを形成した後、トランジスタ21のゲート絶縁膜23の損傷を回復させる熱処理を例えば200°C以上500°C以下の窒素ガスもしくは希ガス雰囲気で行う半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極に接続された第1の配線と、前記半導体基板に接続された第2の配線とを有し、かつ前記第1の配線と前記第2の配線とが近接して設けられている構造の半導体装置の製造方法において、誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてエッチング加工により前記第1の配線と前記第2の配線とを形成した後、前記トランジスタのゲート絶縁膜のダメージを回復させる熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 F ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (33件)：

4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104FF26 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F004AA07 ,  5F004BA20 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EB02 ,  5F004FA01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ74 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F040DA14 ,  5F040DA19 ,  5F040EJ03 ,  5F040FC21