特許
J-GLOBAL ID:200903074324945686

物品の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 正剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-115748
公開番号(公開出願番号):特開2000-345315
出願日: 2000年04月17日
公開日(公表日): 2000年12月12日
要約:
【要約】【課題】 クラックがなく、水分が存在する高温環境中でのSiのガス状化合物の形成を防止できるシリコン含有基板を含む物品の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン含有基板を約1100°C以上の温度に加熱し、この温度においてバリウム-ストロンチウムアルミノ珪酸塩からなるバリア層を形成してコーティング済み基板を用意し、次いで、上記温度においてコーティング済み基板を約15分以上の時間期間だけ保持する。この保持により、バリア層が非結晶質から結晶構造に変化する。バリア層の熱膨張係数は基板の熱膨張係数の±0.5ppm/°C以内とされる。
請求項(抜粋):
物品を製造するための方法であって、(a)シリコン含有基板を用意するステップ、(b)シリコン含有基板を約1100°C以上の温度Tに加熱するステップ、(c)温度Tにおいてシリコン含有基板にバリウム-ストロンチウムアルミノ珪酸塩からなるバリア層を形成してコーティング済み基板を用意するステップ、(d)その後、コーティング済み基板を温度Tにおいて約15分以上の時間期間だけ保持するステップ、および(e)コーティング済み基板を冷却するステップ、を有してなる方法。
IPC (7件):
C23C 4/10 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/14 ,  B05D 7/24 302 ,  C23C 4/02 ,  C23C 4/06 ,  C23C 4/18
FI (7件):
C23C 4/10 ,  B05D 3/02 B ,  B05D 7/14 P ,  B05D 7/24 302 B ,  C23C 4/02 ,  C23C 4/06 ,  C23C 4/18

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