特許
J-GLOBAL ID：200903074325120826
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-129157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321646
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 パワーFETにおいて、高耐圧で且つオン抵抗が小さく、耐圧限界近傍において安定に動作できるようにする。【解決手段】 GaAsよりなる半絶縁性基板11の上には、Siがドープされたn型GaAsよりなるチャネル層12と、エネルギー準位の価電子帯端がGaAsよりも大きいInGaAsよりなる正孔吸収層13と、GaAsよりなるアンドープ層14とが順次形成されている。チャネル層12の上には、該チャネル層を露出させ、正孔吸収層13よりなる下部側壁とアンドープ層14よりなる上部側壁とからなる側壁部を有し、且つ、下部側壁にアンダーカット形状の空間部13aを有するゲートリセス領域が形成されている。ゲート電極19Bは、ゲートリセス領域におけるドレイン電極17C側の側壁部よりなる段差部をまたぐように形成されている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板の上に形成され、不純物がドープされてなるチャネル層と、前記チャネル層の上におけるゲート電極形成領域のドレイン側の領域に形成され、ゲート電極形成領域側の端部に段差部を有するアンドープ層と、前記チャネル層の上及びアンドープ層の上に前記段差部をまたぐように形成されたゲート電極と、前記チャネル層と前記アンドープ層との間の領域に、前記ゲート電極のドレイン側の側面との間に空間部が介在するように形成された正孔吸収層とを備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
