自己整列形MOSトランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181314
出願日： 1996年08月15日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】チャンネル領域にゲート電極を自己整列させると同時にゲート幅を最小化して、半導体装置を高集積化することのできるMOSトランジスタの製造方法を提供する【解決手段】チャンネル形成領域の上部が露出されるように第2開口部を形成する工程と、前面にポリシリコンを蒸着してこれをパターニングして第2開口部の内部だけポリシリコンを残存させ、これをゲート電極21に形成して、チャンネル領域とゲート電極21が自己整列されるようにする。これによりゲート電極20の幅を最小化することが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)上にパット酸化膜(12)と窒化膜(13)を順に形成した後、上記窒化膜(13)とパット酸化膜(12)とをフォトリソグラフィを用いてパターニングして、チャンネル形成領域の上部が露出されるように第1開口部を形成する工程と、上記開口部(14)によって露出された半導体基板(11)を熱酸化して、厚い第1酸化膜(15)を形成した後、これを除去して第2開口部(16)を形成する工程と、上記第2開口部(16)を通じて露出された半導体基板(11)に第1導電型不純物を注入する工程と、上記露出された半導体基板(11)上にゲート酸化膜(17)を形成した後、前面にポリシリコン(18)を形成する工程と、上記ポリシリコン(18)を所定の厚さにエッチングして、上記窒化膜(13)の表面上に所定の厚さを残存させた後、これを熱酸化して第2酸化膜(19)を形成し、これを除去して第2開口部(16)に内部だけにポリシリコン(18)を残存させる工程と、上記ポリシリコン(18)の表面を熱酸化して、第3酸化膜(20)を形成する工程と、上記第3酸化膜(20)をエッチングマスクとして、上記窒化膜(13)を除去する工程と、上記第3酸化膜(20)とポリシリコン(18)をイオン注入マスクとして利用して、前面に第2導電型不純物をイオン注入する工程と、上記第3酸化膜(20)をエッチングマスクで利用して、第3酸化膜の幅より側面に突出したポリシリコン(18)の側面をエッチングして第3酸化膜(20)を除去してゲート電極(21)を定義する工程とを有することを特徴とする自己整列形MOSトランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-098939
特開平4-350971
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-187527 出願人：住友金属工業株式会社

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