特許
J-GLOBAL ID：200903074331645060
高純度シリカガラス粉末の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299272
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017123
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：
【要約】【構成】高純度シリカゲル粉末を焼成して高純度シリカガラス粉末を製造するにあたり、加熱手段を備えた竪型移動層装置を用い、原料シリカ粉末を連続的に装置上方部から供給し下方部から排出させる移動層方式とし、移動層の下方部より上方部に向けて少量のガスを流通させ、かつ、1000〜1300°Cの温度下で焼成を行なうことにより高純度シリカ質粉末を製造する。【効果】本発明の方法によれば、連続的に移動層で焼成ができるため、大量のシリカ質粉末を効率的に処理可能であり、また、焼成物の内部温度分布も均一であるので、場所による品質のバラツキが少なく、流動層方式と比べて粉化が少なく、シャープな粒径分布を持った製品が得られるので工業的に有利である。
請求項（抜粋）：
高純度シリカゲル粉末を焼成して高純度シリカガラス粉末を製造するにあたり、加熱手段を備えた竪型移動層装置を用い、原料シリカ粉末を連続的に装置上方部から供給し下方部から排出させる移動層方式とし、移動層の下方部より上方部に向けて少量のガスを流通させ、かつ、1000〜1300°Cの温度下で焼成を行なうことを特徴とする高純度シリカガラス粉末の製造法。
IPC (2件)：
引用特許：
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