特許
J-GLOBAL ID:200903074336510529

集積回路のためのSCR静電放電保護

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-500754
公開番号(公開出願番号):特表平8-511662
出願日: 1994年05月20日
公開日(公表日): 1996年12月03日
要約:
【要約】本発明は、SCRスイッチ(12)と、SCR状態をオン状態にトリガーするためのSCRに並列なツェナーダイオード(14)とを含み、集積回路のための保護回路であり、SCRと直列なツェナーダイオード(16)が、SCRのオン状態すなわちクランピング電圧を制御する。保護回路は、第2の導電型であるウェル領域(34)と、ウェル中に存在し第1の導電型である第1の領域(36)と、基板中においてウェル領域から離れて存在し、第2の導電型である第2の領域とを含む第1の導電型である半導体基板(30)中に形成される。第1の領域と、ウェル領域と、基板および第2の領域は、SCRを形成している。第2の導電型である第3の領域(40)がウェル領域に存在し、第1の領域に接触して第1のツェナーダイオードを形成している。第2の導電型である第4の領域が基板に存在し、ウェル領域に電気的に接続されている。第5の領域(44)が基板中に存在し、第4の領域に接触して第2のツェナーダイオードを形成している。
請求項(抜粋):
集積回路のための保護回路であって、 クランピング電圧を有するシリコン制御整流器(SCR)と、 該SCRに並列に電気的に接続された、該SCRをオン状態にトリガするための電子トリガ手段と、 該SCRに直列に電気的に接続され、該SCRの該クランピング電圧を制御する第1のツェナーダイオードとを有する回路。
IPC (4件):
H03K 17/73 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/74
FI (4件):
H03K 17/73 A ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/74 P

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