特許

J-GLOBAL ID：200903074353092811

ダイボンディング方法

発明者： 会田 勉
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022139
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211732
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】半導体製造工程の1つであるダイボンディングに要する時間を短縮し、生産性の向上を図る。【構成】パターン成形、バンプ2形成されると共にフィルム3にマウントされたウェーハ1をダイシングし、ダイシング後ウェーハを予め溝を形成したベース7に重合わせダイボンディング後、前記ベースをチップベース6に分割し、ダイボンディングを1ウェーハ毎に一括して行う。

請求項（抜粋）：

パターン成形、バンプ形成されると共にフィルムにマウントされたウェーハをダイシングし、ダイシング後ウェーハを予め溝を形成したベースに重合わせダイボンディング後、前記ベースをチップベースに分割することを特徴とするダイボンディング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/78 R ,  H01L 21/78 V