インドール系高分子を含む電極の製造方法およびそれを用いた二次電池

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293478
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118577
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】自己放電特性の優れた二次電池用インドール系高分子電極を提供する。【解決手段】インドール系高分子の重合で該高分子に添加されたドーパントを一電荷あたりの分子量が140以下のアニオンのドーパントと交換した後、これに導電補助剤と電解液を混合して集電体1a上に成膜した正極材料2と集電体1b上に成膜し電解液をしみ込ませた負極材料4をセパレータ3を介して積層し、ガスケット5で密封して二次電池10を構成する。

請求項（抜粋）：

インドール化合物を化学重合または電解重合して形成したインドール系高分子の該重合で該高分子に添加されたドーパントを一電荷あたりの分子量が140以下のアニオンのドーパントと交換した後、第1の集電体上に該高分子を成膜することを特徴とするインドール系高分子を含む電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 4/60 , C08G 61/12 , C08L 65/00

FI (3件)：

H01M 4/60 , C08G 61/12 , C08L 65/00

Fターム (31件)：

4J002CE001 , 4J002DA017 , 4J002DA027 , 4J002DA037 , 4J002DE056 , 4J002DE196 , 4J002DF036 , 4J002DG046 , 4J002FA047 , 4J002FD117 , 4J002FD206 , 4J002GQ02 , 4J032BA12 , 4J032BC01 , 4J032BC21 , 4J032BC32 , 4J032BD02 , 4J032BD03 , 4J032BD05 , 4J032CG01 , 5H003AA03 , 5H003AA04 , 5H003BA02 , 5H003BA03 , 5H003BA07 , 5H003BB12 , 5H003BB15 , 5H003BB34 , 5H003BB47 , 5H003BD00 , 5H003BD03

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-220363
特開昭62-110257
特開平2-030071

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