特許
J-GLOBAL ID：200903074358956741
II-VI族化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326586
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 アクセプタ濃度が十分に高いp型のII-VI族化合物半導体を成長させる。【構成】 有機金属化学気相成長法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法によりp型のII-VI族化合物半導体、例えばp型ZnSeなどを成長させる場合のp型ドーパントとして、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムを用いる。
請求項（抜粋）：
II族元素の原料、VI族元素の原料およびp型ドーパントを用いた気相成長法によりp型のII-VI族化合物半導体の成長を行うようにしたII-VI族化合物半導体の成長方法において、上記p型ドーパントが、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムから成ることを特徴とするII-VI族化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
