特許

J-GLOBAL ID：200903074362033607

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 田中 秀明
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349194
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152182
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 基板を保護するために用いるキャップ膜を除去する手順を必要としない炭化珪素半導体、及びその製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 炭化珪素基板中にイオン注入法を用いて不純物を導入した不純物領域が形成された炭化珪素半導体装置において、炭化珪素基板100の表面をエピタキシャル層5でキャップし、且つ、不純物領域の上面に形成する電極9の材料として、ニッケル、タングステン、チタン、タンタル、白金等の、珪素と反応する金属を用いる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板中にイオン注入法を用いて不純物を導入した不純物領域が形成された炭化珪素半導体装置において、前記炭化珪素基板の表面をエピタキシャル層でキャップし、且つ、前記不純物領域の上面に形成する電極の材料として、珪素と反応する金属を用いたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41

FI (8件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/44 C

Fターム (16件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18