特許

J-GLOBAL ID：200903074369487581

半導体レーザ素子

発明者： 庄野 昌幸 ,  石川 徹 ,  茨木 晃
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196812
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 低アスペクト比のレーザ光を低い動作電圧で出力する半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上に形成されたn型AlGaInPクラッド層3、活性層4、ストライプ状の第1リッジ部15を有するp型AlGaInPクラッド層5とからなるダブルヘテロ構造部と、前記リッジ部15上面に形成されたp型AlsGa1-sAs中間層6と、この中間層6上に形成されたこの中間層6上面より大きな幅を有するp型AlGaInPクラッド層7で構成されたストライプ状の第2リッジ部17と、第1リッジ部15、中間層6、及び第2リッジ部17の両側に形成されたn型GaAs電流阻止層10、10から構成される構造とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層、活性層、及びストライプ状の第1リッジ部を有する第2導電型の第2クラッド層とからなるダブルヘテロ構造部と、前記第1リッジ部上に形成された第2導電型の第3クラッド層としてのストライプ状の中間層と、該中間層上に形成された該中間層上面幅より大きな幅を有する第2導電型の第4クラッド層としてのストライプ状の第2リッジ部と、前記第1リッジ部、前記中間層、及び前記第2リッジ部の両側に形成された第1導電型の電流阻止層と、を備え、前記中間層の材料と、前記第1リッジ部の材料及び前記第2リッジ部の材料とは、択一的に選択エッチング可能であることを特徴とする半導体レーザ素子。