成膜方法およびその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084409
公開番号（公開出願番号）：特開平5-287531
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：

【要約】【構成】本発明は、薄膜を形成した後に、薄膜の平滑性及び膜厚を定量的にモニタしながら、薄膜表面にイオンビームを照射するようにしたものである。【効果】このような本発明は、薄膜内へのイオン物質の流入と残留ガスの混入を極力抑制した状態で、薄膜の表面粗さ並びに膜厚精度を著しく高めることができる。

請求項（抜粋）：

被成膜体上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、この薄膜形成工程後に上記薄膜にイオンビームを照射するイオンビーム照射工程とを具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/58 , C23C 14/22 , C23C 14/54

引用特許：

審査官引用 (3件)

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