特許
J-GLOBAL ID：200903074373299200
高密度実装化半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047998
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】配線基板への半導体素子の実装密度を高めることを目的とする。【構成】配線基板1にバンプ3を介してフリップチップボンディングした第1の半導体素子2の背面4に、ダイボンディング樹脂5で第2の半導体素子6を接着、固定し、この半導体素子6の各電極と前記配線基板1上に形成されたパッド7とをボンディングワイヤ8で接続して構成した高密度実装化半導体装置。【効果】従来技術の2倍の高密度実装ができ、そして上下間の熱的結合がきわめて良いので温度依存性がある半導体素子の温度補償が効果的に行える。
請求項（抜粋）：
配線基板にフリップチップボンディングした第1の半導体素子の背面にダイボンディング樹脂を介して第2の半導体素子を固着し、そしてこの第2の半導体素子の各電極と前記配線基板上の配線とをボンディングワイヤで接続したことを特徴とする高密度実装化半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
