特許
J-GLOBAL ID：200903074380064242
外部光電効果型固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114209
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302795
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 外部光電効果型固体撮像装置において、高S/N化を達成する。【構成】 P型半導体基板1の表面部にN型拡散層2を拡散形成し、該拡散層2の部分の窓開けを行った透明な保護絶縁膜3を形成し、更に保護絶縁膜3の窓開け部を覆うように孤立したAl等よりなる金属電極4を形成する。そして、金属電極4に入射線が入射できるようにした信号検出部Aと、金属電極4上に絶縁膜11を形成した入射線遮断部Bを形成して、外部光電効果型固体撮像装置を構成する。
請求項（抜粋）：
P-N接合部にオーミック接触を保った上部画素電極を設けた画素を行列状に二次元に配列して画素アレイを構成し、イオンビームあるいは電子ビーム等の荷電粒子あるいは軟X線,紫外線等の入射線を前記画素アレイの画素電極に入射させ、該画素電極より外部光電効果により放出される二次電子あるいは前記荷電粒子の有する電荷によって、画素電極及びP-N接合部の帯電状態を変化させ、その変化を検出するようにした外部光電効果型固体撮像装置において、前記画素アレイの一部の画素の前記画素電極上に絶縁膜を形成して前記入射線の入射を阻止した入射線遮断部を設けたことを特徴とする外部光電効果型固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
