特許

J-GLOBAL ID：200903074388024762

電界効果型半導体装置の製造方法

発明者： 江崎 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317293
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139353
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 配線を半導体基板に埋め込みコンタクトさせるにも拘らず電流駆動能力等の低下がない電界効果型半導体装置を製造する。【解決手段】 ゲート電極36a及び配線36bをパターニングし、ソース、ドレイン領域42を形成した後に、PSG膜43を堆積させて熱処理を行う。この結果、多結晶Si膜34からの不純物の熱拡散で不純物領域44が形成されると共に、PSG膜43からのリンの熱拡散で不純物領域45が形成される。このため、配線36bのパターニングでSi基板31に溝41が形成されても、ソース、ドレイン領域42と不純物領域44とが不純物領域45で連結される。

請求項（抜粋）：

埋め込みコンタクトによって配線が半導体基板に電気的に接続されている電界効果型半導体装置の製造方法において、ゲート電極及び前記配線をパターニングした後に、不純物を含む絶縁膜を堆積させる工程と、前記絶縁膜から前記半導体基板へ前記不純物を拡散させる工程とを具備することを特徴とする電界効果型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/225 Q ,  H01L 29/78 301 P