MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017670
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218408
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】結晶欠陥によるリーク電流を低減することができるMOSトランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】基板表面15aに互いに離間して形成されたソース領域3aおよびドレイン領域3bとを有する。チャネル領域11上に絶縁膜4と、ゲート電極5を有する。この上に、層間絶縁膜8,9と、金属配線10を有する。基板表面15aと金属配線10の層との間に、ソース領域3a,ドレイン領域3bから所定の幅だけチャネル領域11内にはみ出したイオン注入阻止層7,7aを設ける。このイオン注入阻止層7,7aは、チャネル領域11のうちソース領域側11a,ドレイン領域側11bに注入される不純物イオンを阻止する。

請求項（抜粋）：

基板表面に互いに離間して形成されたソース領域およびドレイン領域と、上記ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、上記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に設けられた金属配線とを有するMOSトランジスタにおいて、上記基板表面と上記金属配線の層との間で、それぞれ上記ソース領域,ドレイン領域から所定の幅だけ上記チャネル領域内にはみ出して設けられ、上記チャネル領域のうち上記ソース領域側,ドレイン領域側に注入される不純物イオンを阻止するイオン注入阻止層を備えたことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 21/266 , H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 M , H01L 29/78 301 Q

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