特許

J-GLOBAL ID：200903074395797688

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261713
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に対して垂直な形状の微細なコンタクトホールを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチング開始直後はフッ素プラズマイオン17が多結晶シリコンマスク16に従ってNSG膜12内へ垂直に入射するため、コンタクトホール18はシリコン基板11に対して垂直な形状となる。エッチングの進行とともに側壁層15aにエッチングガスの分解による反応生成物19が形成され、イオンの軌道が曲げられる。この段階でエッチングを中止し、酸素ガスによるアッシングを行う。酸素プラズマイオン17aによるアッシングにより、側壁層15aに形成された反応生成物19は除去されるのでイオン軌道の直進性は改善される。その後、エッチングとアッシングを繰り返して行いコンタクトホール18を開口する。

請求項（抜粋）：

被コンタクト領域を覆うように形成された絶縁層に、前記被コンタクト領域に達するコンタクトホールを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁層上にエッチングマスク層を形成したのち、前記エッチングマスク層を用いて前記絶縁層を選択的にエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程で生じた反応生成物を除去するアッシング工程とを交互に行うことで前記コンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 L