特許

J-GLOBAL ID：200903074397817341

走査型トンネル電子顕微鏡用原子間力顕微鏡の探針

発明者： 中川 徹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-087559
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】 先端の尖った金属線の先端部分が単分子膜、他の部分が積層膜で覆われ、積層薄膜の表面部分に導電性を有する分子を存在させることにより、耐久性に優れしかも製作方法が簡単な探針とする。【構成】 CCl3 Si(CH2 )2 (CF2 )6 (CH2 )2 SiCl3 などのシランカップリング剤の非水溶媒をタングステン線1に接触させ、脱塩化水素反応をおこさせ、非水溶媒での洗浄と水洗によって単分子膜2を形成する。この操作を5回繰り返すと5層の単分子積層膜4が得られる。次に先端部分を酸素プラズマ中でアッシング処理することによって、先端部5のみ単分子積層膜を取り除き、末端がチオフェンであるシランカップリング剤を反応させることにより、最外層を導電性ポリチオフェン3で覆う。

請求項（抜粋）：

先端の尖った金属線の先端部分が単分子膜で覆われ、他の部分が単分子積層膜で覆われ、かつ前記単分子膜及び/又は積層薄膜の表面部分に導電性を有する分子が存在している走査型トンネル電子顕微鏡用原子間力顕微鏡の探針。