特許

J-GLOBAL ID：200903074401920055

絶縁基板上に配置された半導体装置

発明者： 星 雅彦 ,  紙田 行雄 ,  千田 克則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292061
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142648
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子1、2が発生した熱を迅速に放熱させ、大電力化された半導体装置への適応及び高信頼性の確保が可能な絶縁基板上に配置された半導体装置を提供する。【構成】 放熱用金属体8と、金属板6を介して放熱用金属体8上に配置された絶縁基板5と、金属回路板4を介して絶縁基板5上に配置された半導体素子1、2とからなる絶縁基板上に配置された半導体装置において、金属回路板4は、高熱伝導性を有する第1及び第3の金属板10、12の間に、低熱伝導性を有する第2の金属板11を挾み込んだ3層構造のもので構成される。このため、半導体素子1、2で発生した熱は、第1の金属板10内で横方向に大きく拡がり、その拡がった状態で放熱用金属体8に伝達されるので、放熱特性に優れ、大電力化半導体装置に適応でき、半導体装置の信頼性も向上する。

請求項（抜粋）：

放熱用金属体と、金属板を介して前記放熱用金属体上に配置された絶縁基板と、金属回路板を介して前記絶縁基板上に配置された半導体素子とからなる絶縁基板上に配置された半導体装置において、前記金属回路板は、高熱伝導性を有する第1及び第3の金属板の間に低熱伝導性を有する第2の金属板を挾み込んだ3層構造のものであることを特徴とする絶縁基板上に配置された半導体装置。