特許
J-GLOBAL ID：200903074404678689
ドライエッチングの終了時点検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038745
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252105
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチングの際にそのプラズマ領域で発生する光を観察することによってエッチング処理の終了時点を確実に検出し得るようにすることを目的とする。【構成】ドライエッチング時にプロダクト部Qと同等なプラズマ発光強度が得られる擬似プロダクト部Dをドライエッチングされる半導体基板B上に設け、ドライエッチング時のプラズマ発光強度の変化に基づいてドライエッチングの終了時点を検出するようにした。この擬似プロダクト部Dはスクライブライン上に設けることができ、また、この擬似プロダクト部Dはプロダクト部Qと類似の構造とすることができる。
請求項（抜粋）：
ドライエッチング時にプロダクト部と同等なプラズマ発光強度が得られる擬似プロダクト部をドライエッチングされる半導体基板上に設け、ドライエッチング時のプラズマ発光強度の変化に基づいてドライエッチングの終了時点を検出するようにしたことを特徴とするドライエッチングの終了時点検出方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, G01N 21/62
, G01N 21/75
