薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167074
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】製造過程において下部電極および下部配線が数百°Cに加熱される回数を少なくして、前記下部電極および下部配線を高融点金属の含有量が少ないAl系合金で形成してもヒロックが発生しないようにする。【構成】保護絶縁膜11を金属酸化膜とした。

請求項（抜粋）：

表面を保護絶縁膜で覆った薄膜トランジスタにおいて、前記保護絶縁膜を、酸化金属膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

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