特許

J-GLOBAL ID：200903074411508489

欠陥検査装置

発明者： 吉田 尚幸 ,  高松 弘行 ,  住江 伸吾 ,  勝見 栄雄 ,  森本 勉 ,  今西 顕史 ,  橋爪 英久 ,  山本 雄治
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  ジェネシス・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262520
公開番号（公開出願番号）：特開平11-281337
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ等の欠陥検査を行う従来の欠陥検査装置では,半導体ウェハ表面上でレーザ光を走査して検査を行うため,半導体ウェハのエッジ部における欠陥を複数枚一括して検査するようなことができなかった。【解決手段】 本発明は,複数枚の被検査部材1を同軸上に配置して同時に回転させると共に,複数枚の被検査部材1に対して検査光4を一括して照射し,被検査部材1のエッジ部における欠陥を複数枚同時に高速に検査することを図ったものである。

請求項（抜粋）：

円板状の被検査部材を同軸上に複数枚支持可能な支持軸と,上記支持軸を駆動して上記被検査部材を回転させる回転手段と,上記回転手段により回転される上記被検査部材のエッジ部に検査光を照射する検査光照射手段と,上記検査光照射手段により上記被検査部材のエッジ部に照射され散乱された散乱光を検出する散乱光検出手段と,上記検査光の照射位置及び上記散乱光の強度に基づいて上記被検査部材のエッジ部の欠陥を検査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置。

IPC (3件)：

G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/30 D ,  H01L 21/66 J ,  G01N 21/88 645 A