特許

J-GLOBAL ID：200903074416047986

半導体装置の製造方法

発明者： 奥田 広明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225407
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077318
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 複数の半導体素子が形成された基板について、素子の分離を容易にし、かつ素子の品質の向上をはかる。【構成】 複数の半導体素子が形成された半導体基板のスクライブ予定域に選択エッチングによりV字形の溝を形成する工程と、前記溝内にスクライビングを施し素子分離を行う工程とを含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体基板のスクライブ予定域に選択エッチングによりV字形の溝を形成する工程と、前記溝内にスクライビングを施し素子分離を行う工程とを含む半導体装置の製造方法。