特許

J-GLOBAL ID：200903074417320210

双安定メモリ要素及び磁気メモリ

発明者： 島田 寛 ,  北上 修
出願人/特許権者： 大木 登
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182606
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374019
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 スピン渦巻き構造を利用した双安定スイッチング要素を提供すること。超高密度記録が可能な磁気メモリを提供すること。【解決手段】 径80〜4000nm、高さ40〜80nmの円形ドットからなり、スピン渦巻き構造を有していることを特徴とする双安定スイッチング要素。

請求項（抜粋）：

径80〜4000nm、高さ40〜80nmの円形ドットからなり、スピン渦巻き構造を有していることを特徴とする双安定スイッチング要素。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/16 ,  H01L 29/82

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 U ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/16 ,  H01L 29/82 Z