特許

J-GLOBAL ID：200903074418305460

高誘電率シリケート・ゲート誘電体

発明者： ジョン マーク アンソニー ,  スコット アール.サマーフェルト ,  ロバート エム.ウォーレス ,  グレン ディ.ウィルク
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135774
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 高誘電率シリケート・ゲート誘電体を備えた電界効果型半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 シリコン基板上に半導体性チャンネル領域24を形成し、この基板の上に金属シリケート・ゲート誘電体層36を形成し、次に伝導性ゲート38を形成する。シリケート層36は、ハフニウム・シリケートなど、ゲート誘電体の誘電定数が二酸化シリコンの誘電定数よりずっと大きいものが良い。ただし、シリケート・ゲート誘電体は、高ブレークダウン、低境界領域状態密度、高安定性など二酸化シリンコンの利点を備えて設計することもできる。

請求項（抜粋）：

集積回路上に電界効果デバイスを製作する方法であって、単結晶シリコン基板を備えるステップと、前記基板上に金属シリケート誘電層を形成するステップと、前記金属シリケート誘電層に伝導性ゲートを形成するステップとからなる方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-024541
  
• 特開昭58-220457