特許
J-GLOBAL ID：200903074421472334
フッ化カルシウム単結晶を成長させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-156256
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035394
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】高い光学的均質性(Δn=1×10-6)および低い複屈折(δ=0.5〜1.0nm/cm)を持つフッ化カルシウム単結晶を成長させる。【解決手段】坩堝7内にフッ化カルシウム装填物8を配置する。仕切板4により区切られている、溶融区画2およびアニーリング区画3を有する炉1内に坩堝7を配置し、炉内の圧力を1×10-6mmHg以上に減少させる。坩堝7内の装填物8を1500°Cの温度に加熱し、溶融区画2内の装填物8を、装填物8が溶融し、溶融物が均質になり、混在物および気泡を含まなくなるのに十分な時間に亘りこの温度に保持する。坩堝7が仕切板4を通過するまで、溶融物を溶融区画2からアニーリング区画3中に降下させる。溶融物の温度を制御された様式で周囲温度まで低下させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
溶融区画からアニーリング区画まで、両方の区画のモードを独立して調節しながら、溶融物を含有している坩堝を連続的に移動させることによる、真空炉中での結晶のアニーリングおよびその後の冷却を用いた溶融物からの結晶化を含む、フッ化カルシウム単結晶を成長させる方法であって、
1100〜700°Cの温度範囲での結晶の冷却を1.3〜2.0°C/時間の速度で行い、半径方向の温度勾配がないかまたは最小の状態において20〜50°C/mの勾配で一定の軸方向温度降下を維持し、冷却を、結晶の移動速度の0.8〜1.4倍の範囲の速度で水冷ロッドを下方に移動させることにより行い、該水冷ロッドは、アニーリング区画にあるヒータの高さの0.3〜0.4倍に等しい距離だけ坩堝の底部に向かって下方に配置されていることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077BE02
, 4G077CD02
, 4G077EA04
, 4G077EG15
, 4G077EG25
, 4G077EH06
, 4G077FE13
, 4G077MB04
, 4G077MB22
, 4G077MB26
, 4G077MB33
