特許

J-GLOBAL ID：200903074424824584

半導体装置の配線形成方法

発明者： 手塚 好弘
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-113043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321118
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 金属配線加工中に発生するゲート酸化膜へのプラズマダメージを大幅に軽減できる半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】 薄いゲート酸化膜15を介して半導体基板11上に形成されたゲート電極16に電気的に導通するAl金属膜18がドライエッチングでパターニングされる際、ゲート電極16に電気的に導通する第1の配線パターン36bに隣接し、半導体基板11に電気的に導通する第2の配線パターン36aが設けられる。これら第1および第2の各配線パターン36a,b間の間隔L1は任意の配線パターン間の間隔、例えば第1および第3の各配線パターン36b,c間の間隔L2以下に設定される。

請求項（抜粋）：

薄い絶縁膜を介して半導体基板上に形成される電極に電気的に導通する金属膜をドライエッチングでパターニングするに際して、前記電極に電気的に導通する第1の配線パターンに隣接して前記半導体基板に電気的に導通する第2の配線パターンを設け、これら第1および第2の各配線パターン間の間隔を任意の配線パターン間の間隔以下に設定することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162434   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社