半導体装置の静電破壊モニター方法および静電破壊モニターを有する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269158
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】イオン注入等のイオンを用いる加工を行う際に生ずる静電破壊の有無を容易に検査可能な静電破壊モニタリング方法および装置を提供すること。【解決手段】半導体基板11上に配列された複数個のモニタ要素デバイス32〜38により構成される静電破壊モニターが用いられる。各モニタ要素デバイスは、半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜39、40と、このフィールド酸化膜39、40に周囲を囲まれた前記半導体基板11の表面領域に形成された薄い酸化膜41と、この薄い酸化膜41上に島状に形成されたレジストアイランド15と、前記フィールド酸化膜39、40上に形成されたレジスト膜13とから構成されている。各モニタ要素デバイス32〜38における前記レジストアイランド15端面と前記フィールド酸化膜39、40間の間隔を前記各モニタ要素デバイス配列に沿って徐々に変化させている。

請求項（抜粋）：

表面に形成された絶縁膜上に、レジストにより回路パターンが形成された半導体基板の一部表面領域に静電破壊モニターを形成し、この半導体基板を荷電体を用いる製造プロセスにより加工した後、前記静電破壊モニターの静電破壊を検出する静電破壊モニター方法であって、前記静電破壊モニターは、前記半導体基板上に配列された複数個のモニタ要素デバイスにより構成されており、前記各モニタ要素デバイスは、前記半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜と、このフィールド酸化膜に周囲を囲まれた前記半導体基板の表面領域に形成された薄い酸化膜と、この薄い酸化膜上に島状に形成されたレジストアイランドと、前記フィールド酸化膜上に形成されたレジスト膜とからなり、前記レジストアイランドの端面とこの端面に対向する前記フィールド酸化膜端部間の間隔を前記各モニタ要素デバイス配列に沿って徐々に変化させてなることを特徴とする半導体装置の静電破壊モニター方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01L 21/66 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/265 N , H01L 21/66 Y , H01L 21/265 T , H01L 27/04 T

Fターム (15件)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AB17 , 4M106BA03 , 4M106CA14 , 4M106CA39 , 4M106DB21 , 5F038AC03 , 5F038AC15 , 5F038BH13 , 5F038CA02 , 5F038DT12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

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