特許

J-GLOBAL ID：200903074429752115

半導体素子及びその製造方法

発明者： 河北 哲郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269505
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 液晶表示装置用の薄膜トランジスタ製造時における不純物イオンの注入の際に、水素イオンがチャネル部分に注入されないようにして、その電気的特性を向上させる。トランジスタ特性向上のためLDD構造とするが、この際複雑な処理等を不必要とする。【解決手段】 1)ゲート電極に水素吸蔵合金を用いる。2)ゲート電極を多層構造とし、その形状を工夫することにより、基板上面方向から唯一回のイオンを注入することでLDD構造のTFTとする。

請求項（抜粋）：

基板上にソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有する半導体とゲート絶縁膜とゲート電極が形成された半導体素子において、上記ゲート電極は、ゲート絶縁膜上に所定厚さの水素吸蔵合金層を少なくとも一層は含む多層構造として形成されたゲート電極であることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 617 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (54件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110AA19 ,  5F110AA23 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG35 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ26