特許
J-GLOBAL ID：200903074430433198
発光ダイオード搭載基板、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167481
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335731
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】光の取り出し効率の最大化を図ることができる発光ダイオード搭載基板を提供する。【解決手段】GaN系発光ダイオード1を形成するn型GaN層11、活性層12およびp型GaN層13にn型GaN層11の下面に対して傾斜している端面14を形成する。p型GaN層13上にp側電極15を形成する。端面14およびp側電極15の周囲の部分のp型GaN層13の上面を覆うように透明樹脂16を形成し、この透明樹脂16およびp側電極15の全体を覆うように反射膜17を形成する。n型GaN層11の下面にn側電極18を形成する。このGaN系発光ダイオード1のn型GaN層11側をエアギャップなどの低屈折率透明媒質層3を介して透明基板2上に搭載する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光ダイオード構造を形成する半導体層がその主面に対して傾斜している端面を有し、この端面の外部に反射体を有する少なくとも一つの発光ダイオードが、透明基板上に、上記半導体層の光取り出し面を上記透明基板側に向けて、上記半導体層および上記透明基板の屈折率より小さい屈折率の透明媒質からなる層を介して搭載された
ことを特徴とする発光ダイオード搭載基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041DA19
, 5F041DA34
, 5F041DA43
, 5F041DA74
, 5F041FF11
出願人引用 (1件)
-
半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-233553
出願人：日立電線株式会社
審査官引用 (2件)
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