特許

J-GLOBAL ID：200903074435082261

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 楠 雅統
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237367
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102489
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】 水分を含む層間絶縁膜からの水分拡散による半導体素子の劣化を抑制し、かつ生産性の高い半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板に形成された素子領域上にパターニングされた第1の層間絶縁膜と配線膜を形成し、その上に第2の層間絶縁膜を形成して表面近傍にこの層間絶縁膜の構成原子の未結合手を形成するイオンを注入し、さらにその上に水分を含む第3の層間絶縁膜を形成することにより、水分拡散防止のために第3の層間絶縁膜の下層にECR-SiO膜を形成する場合の欠点を除去し、かつそれと同等の高い水分透過抑止効果を有する層間絶縁膜構成を実現させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された素子領域上に第1の層間絶縁膜を形成してパターニングする工程と、前記素子領域及び第1の層間絶縁膜上に配線膜を形成してパターニングする工程と、前記パターニングされた第1の層間絶縁膜及び配線膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜の表面近傍にこの層間絶縁膜の構成原子の未結合手を形成するイオン注入工程と、前記第2の層間絶縁膜上に第3の層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/265 R ,  H01L 21/90 K