特許
J-GLOBAL ID：200903074435487385
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298488
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135887
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】AlGaInP系の半導体レーザにおける可飽和吸収層のドーパント濃度を、その拡散を抑えつつ、高くして、自励発振を好適に行わせる。【解決手段】GaInP系の可飽和吸収層7に2種以上のドーパント、例えば、ZnとSeを同時にドープする。【効果】濃度が高くなると拡散が非常に大きくなるZnの濃度をそれ程高くしなくても済むようになり、また、n型不純物であるSeがp型不純物であるZnの拡散を抑制するので、例えば、Znの活性層4への拡散によるレーザ特性の劣化が低減する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)及びリン(P)から主としてなる活性層と、Al、Ga、In及びPから主としてなるクラッド層と、前記クラッド層内に設けられた、Ga、In及びPから主としてなる可飽和吸収層とを備えた半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層が2種以上のドーパントを含有していることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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