微細結晶硬質皮膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：梶良之 , 須原誠 , 竹中芳通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-204780
公開番号（公開出願番号）：特開2009-293131
出願日： 2009年09月04日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】岩塩構造型硬質皮膜の結晶粒子径を微細化させて、硬質皮膜の耐摩耗性などの特性を改善した微細結晶硬質皮膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】立方晶岩塩型構造を有する硬質皮膜層A と、立方晶岩塩型構造以外の結晶構造を有する硬質皮膜層B とが交互に積層された構造の結晶皮膜を形成する際、磁場印加機構を有するアーク蒸発源とスパッタリング蒸発源とが各々1台以上具備された成膜装置によって、前記硬質皮膜層A の構成成分をアーク蒸発源にて蒸発させるとともに、前記硬質皮膜層B を特定の化合物として、これら硬質皮膜層B の構成成分をスパッタリング蒸発源で蒸発させ、基板上に硬質皮膜層A とB とを交互に順次積層していく。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

立方晶岩塩型構造を有する硬質皮膜層A と、立方晶岩塩型構造以外の結晶構造を有する硬質皮膜層B とが交互に積層された皮膜構造を有し、硬質皮膜層A の厚みを硬質皮膜層B の厚みよりも厚くした微細結晶皮膜を、磁場印加機構を有するアーク蒸発源とスパッタリング蒸発源とが各々1台以上具備された成膜装置で形成する方法であって、前記硬質皮膜層A の構成成分をアーク蒸発源にて蒸発させるとともに、前記硬質皮膜層B をBN、BCN 、SiN 、SiC 、SiCN、B-C 、Cu、CuN 、またはCuCNとして、この硬質皮膜層B の構成成分をスパッタリング蒸発源で蒸発させ、基板上に硬質皮膜層A とB とを交互に順次積層していくことを特徴とする微細結晶硬質皮膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/06 , B23B 27/14

FI (3件)：

C23C14/06 M , C23C14/06 A , B23B27/14 A

Fターム (19件)：

3C046FF09 , 3C046FF16 , 4K029AA02 , 4K029AA07 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BC02 , 4K029BD04 , 4K029BD05 , 4K029CA04 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC16 , 4K029DC40 , 4K029DD06 , 4K029EA01 , 4K029FA05 , 4K029JA02

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