特許
J-GLOBAL ID：200903074449982028
成膜装置および逆スパッタリング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-207018
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028562
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 基板を傾斜、回転、冷却また加熱などすることのできる基板ステージにおいて、安定して逆スパッタリング処理を行うことができる逆スパッタリング方法および成膜装置を提供する。【解決手段】 スパッタ用ガス導入管106からスパッタ用ガスとしてArガスが導入され、チャンバ101内の圧力は可変コンダクタンスバルブ114によって0.5〜10Paに調圧される。そしてパルスDC電源109によって基板ステージ102にパルス電圧が印加される。基板108の表面が所定量逆スパッタされた後、パルスDC電源108による電圧の印加を止める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を保持する基板保持部材と前記基板保持部材と対向する対向電極との間に電界をかけることにより、成膜処理前の前記基板の表面にイオンを衝突させて汚染物質を除去する逆スパッタリング方法において、
前記基板保持部材と前記対向電極との間にパルス電圧を印加することを特徴とする逆スパッタリング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4K029AA06
, 4K029CA05
, 4K029DC34
, 4K029FA04
, 4K029FA05
