特許
J-GLOBAL ID：200903074460225646
プラズマ処理装置と半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232084
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074734
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 容器内の異常放電を正確にモニタすることができ、半導体装置の製造歩留り向上等に寄与する。【解決手段】 プラズマ処理容器11内に設置されたカソード電極13と容器11の上壁部(対向電極)との間に放電によるプラズマを生起し、このプラズマを利用して電極13上に載置された被処理基板12に対してエッチング処理を施す半導体装置の製造方法において、プラズマのインピーダンス変化による反射波を方向性結合器15及び検波器17で検出して異常放電をモニタし、このモニタ結果により異常放電ありと判定した際には、被処理基板12に異常放電に伴う損傷を回復するための処理プロセスを施す。
請求項（抜粋）：
容器内に設置された電極間の放電によりプラズマを生起し、このプラズマを利用して容器内に配置された被処理基体に対して所定の表面処理を施すプラズマ処理装置において、前記プラズマのインピーダンス変化を検出して異常放電をモニタすることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 E
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 F
, H01L 21/205
, H05H 1/46 R
