特許

J-GLOBAL ID：200903074461424812

半導体装置の測定方法

発明者： 吉田 和彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296106
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153763
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】MOSFETなどの縦型半導体装置において、ドレイン電極の電位を測定するためにn- 層表面に測定電極を設けて、大電流通電時の半導体ウエハ内にあるMOSFETのドレイン電極とソース電極間の電圧を精度良く測定する。【構成】MOSFETで測定電極12はn- 層4とオーミック接触するようにもうけたn+ 領域11上に形成され、測定電極12とドレイン側測定プローブ17が接続し、ソース電極9にソース側測定プローブ15が接続している。通電プローブ13、ステージ14は半導体ウエハと加圧接触により電気的に接続している。通電プローブ13、ステージ14間に電流を流し、ドレイン側測定プローブ17、ソース側測定プローブ15にて電圧を検出する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの一主面に、主電流を通電する一方の第一電極を有し、他主面に、他方の第二電極を有する複数個の縦形半導体装置が並設されている半導体ウエハの各半導体装置に主電流を通電した時の第一電極と第二電極間の電圧を測定する方法において、一主面に第二電極の電位を測定する測定電極を設けて、第一電極と該測定電極とで第一電極と第二電極間の電圧に相当する電圧を測定することを特徴とする半導体装置の測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

G01R 31/28 V ,  H01L 29/78 658 L