特許

J-GLOBAL ID：200903074466302014

半導体レーザ装置

発明者： 近藤 真人 ,  穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135374
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置に関し、簡単な手段で、半導体レーザ装置に於ける水平横モード特性を向上させ、また、容易にクランク型窓構造の導入を可能にしてCODレベルを向上させようとする。【構成】 (100)面の<01-1>方向に延在するV型状の溝をもったn-GaAs基板21と、基板21上に形成されてV字型の歪み量子井戸活性層26とp-(Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層28及び30とを含むダブル・ヘテロ構造とを備え、クラッド層28と30内には同時導入のZnとSeのうちSeが(100)面に集まって得られるn型部分29A及びZnが集まってV型状の溝上に得られるp型部分29Bで構成されたZn及びSe同時ドープ(Al<SB>0.7 </SB>Ga<SB>0.3 </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P電流狭窄層29が介在し、電流狭窄層29の電流路下方にV字型の歪み量子井戸活性層26の発光領域である底部分が位置する。

請求項（抜粋）：

(100)面である主面の<01-1>方向に延在するV型状の溝が形成されてなる化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成されてV字型の活性層とp型クラッド層とを含んでなるダブル・ヘテロ構造とを備えてなり、前記p型クラッド層内には同時に導入された二族アクセプタ及び六族ドナーのうち六族ドナーが(100)面に集まって生成されたn型領域及び二族アクセプタが集まってV型状の溝上に生成されたp型領域で構成された電流狭窄層が介在し且つその電流狭窄層に於ける電流路の下方には前記V字型の活性層に於ける発光領域である底部分が位置することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/025 ,  H01S 3/085

FI (2件)：

H01S 3/02 A ,  H01S 3/08 S