特許

J-GLOBAL ID：200903074468830360

イン サイチュー型ジョセフソン接合構造

発明者： 門脇 和男 ,  茂筑 高士 ,  戸叶 一正
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242116
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074401
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【構成】 c-軸に垂直な層状結晶構造を有する酸化物系超電導体において、結晶内c-軸方向を通電方向とする。【効果】 イン サイチュー型ジョセフソン接合として、従来のように高度薄膜技術等に依存することなく、各種デバイスへの応用が可能となる。

請求項（抜粋）：

c-軸に垂直な層状結晶構造を有する酸化物系超電導体において、結晶内c-軸方向を通電方向とすることを特徴とするイン サイチュー型ジョセフソン接合構造。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-011376