特許
J-GLOBAL ID:200903074469490814

耐摩耗薄層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-228076
公開番号(公開出願番号):特開平6-195640
出願日: 1993年08月20日
公開日(公表日): 1994年07月15日
要約:
【要約】【目的】 耐摩耗性に優れ、安価に製造できる薄膜磁気ヘッドアセンブリを提供する。【構成】 チタニウムカーバイド粒子を含むAl2O3-TiC基板52に、アモルファスシリコンカーバイドの第1接合促進層54を介して、ダイヤモンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層56を接合し、さらに、アモルファス水素化合シリコンの第2接合促進層58を介して電気磁気回路構成部62を付着する。【効果】 耐摩耗層56は硬度が増し、また、表面仕上げが不要である。
請求項(抜粋):
アルミナマトリックスに分散されたチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板(52)と、該基板の上に形成されたa-Si:C:Hからなる接合促進層(54)と、該接合促進層の上に形成されたダイヤモンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層(56)とを備える薄膜磁気ヘッド(50)用薄層ベース(60)。
IPC (2件):
G11B 5/31 ,  G11B 5/255

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