特許

J-GLOBAL ID：200903074475910183

気相成長方法および装置

発明者： 青柳 良一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-078558
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274033
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 スループットを低下させることなく、気相成長によって形成される薄膜の物性を的確に制御する。【構成】 反応室4を構成する石英ベルジャー1、この石英ベルジャー1の外側を補強するステンレスベルジャー2、全体を支持するベースプレート3などから構成され、反応室4内には原料ガスを供給するためのガスノズル5、加熱源となるワークコイル6、コイルカバー7、半導体ウェハ8を保持し加熱させるための円板上のサセプタ9が収容された気相成長装置において、ガスノズル5の先端部に、半導体ウェハ8が載置されたサセプタ9の上部を覆うようにノズルカバー10を配置し、ガスノズル5の複数のガス吹き出し口5aから供給される原料ガス5bの流れが、サセプタ9に載置された複数の半導体ウェハ8の近傍に選択的に形成されるようにした。

請求項（抜粋）：

対象物の近傍に原料ガスのガスフローを選択的に形成することにより、前記対象物の表面に所望の物質からなる薄膜を堆積形成することを特徴とする気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20