特許

J-GLOBAL ID：200903074480763407

気相成長装置

発明者： 清水 均
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255599
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021363
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ガス加熱ヒータと基板加熱ヒータとを備えた気相成長装置において、基板の温度を、ガス加熱ヒータの影響を受けることなく、基板加熱ヒータのみで容易に制御することができ、かつ基板上に堆積した薄膜がガス加熱ヒータの熱照射を受けることなく所期の組成を維持する装置構成を提供する。【構成】ガス加熱ヒータ71と基板3との間に熱遮蔽手段を設けた装置構成とする。具体的には、化合物ガスの反応槽1内への導入を、反応槽壁面を貫通して反応槽内へ突き出たガス導入管51,52を通して行い、ガス導入管を囲むコイル状ガス加熱ヒータ71のガス導入管端面側に低熱伝導率材料からなる熱遮蔽板9を配するか、反応槽外から、内周面が熱の全反射面として機能する導熱ロッドを介して分解熱をガス導入管端部へ導く構成とする。さらに、熱遮蔽板の基板側を多孔電極板で覆って高周波電圧を印加する構成として膜特性を向上させる。

請求項（抜粋）：

反応槽内に配された基板表面への薄膜形成時に該反応槽内へ導入される, 薄膜成分を含む化合物ガスを加熱, 分解するガス加熱ヒータを備えたガス分解用ヒータユニットと、基板を所定の高温に保つ基板加熱ヒータとを備えた気相成長装置において、ガス加熱ヒータと基板との間に基板をガス加熱ヒータからの熱照射から遮蔽する熱遮蔽手段が設けられていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-216220
  
• 特開昭64-000726