特許
J-GLOBAL ID：200903074487427062
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118465
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326815
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 製造歩留まりのよい半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 傾斜した面1aを有する半導体基板1と、この傾斜した面1a上に形成された非平坦な半導体層5と、この非平坦な半導体層5上に形成され、表面に形状変化部9を有するコンタクト層8と、このコンタクト層8上に形成された電極10と、を備え、形状変化部領域9上及び発振領域上を除いた電極10にワイヤーボンディングした。
請求項（抜粋）：
傾斜した面を有する半導体基板と、該傾斜した面上に形成された非平坦な半導体層と、該非平坦な半導体層上に形成され、表面に上記傾斜に基づく形状変化部を有するコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された電極と、を備え、上記形状変化部上及び発振領域上を除いた上記電極にワイヤーボンディングしたことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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