特許
J-GLOBAL ID：200903074495597414
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005694
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209850
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置製造時のレジストパターン形成工程においてマスク上に最適露光量の異なるパターンが混在した場合でもそれぞれ所望のパターン寸法に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 最適露光量の異なるパターンに対応して、フォトマスクの所定の領域に適宜光吸収膜を形成した構成となっている。
請求項（抜粋）：
フォトマスクを介してレジストを露光する事により半導体装置基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成法において、より細かいパターンの領域を通過する光の強度が相対的に大きくなる様に、露光の際に前記フォトマスクを透過する光の強度分布を調整する手段を前記フォトマスクに重畳して設ける工程を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
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