MIS型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175448
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 1トランジスタメモリセルの容量部の容量増大を図る一方で、その歩留り及び信頼性を改善する。【構成】 1トランジスタ型メモリセルの容量部に溝1aを形成し、この溝の側面及び底面に半球状の微小な凹凸を持つ電荷蓄積用の電極4が形成され、この電極表面に設けた容量絶縁膜5を介して、溝内に容量電極6が埋め込まれた構成とする。例えば、電荷蓄積用の電極4は、半球状のグレインを表面に成長させた多結晶シリコン膜で構成する。このように、電荷蓄積用の電極4に微小な凹凸を設けることで、その表面積を増大させ、メモリセル容量の増大を図り、溝或いは電極等、容量部の形成を容易にし、歩留り及び信頼性を改善する。

請求項（抜粋）：

1個の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及び1個の容量より構成された1トランジスタ型メモリセルを含むMIS型半導体記憶装置において、容量部の半導体基板内に溝を形成し、この溝の側壁及び底面に半球状の微小な凹凸を持つ電荷蓄積用の電極が形成され、この電極表面に設けた容量絶縁膜を介して、溝内に容量電極が埋め込まれていることを特徴とするMIS型半導体記憶装置。

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