特許

J-GLOBAL ID：200903074506192420

プラズマ処理方法

発明者： 川崎 義直 ,  川原 博宣 ,  工藤 勝義 ,  広部 嘉道 ,  掛樋 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283208
出願日： 1987年10月14日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】絶縁材または絶縁膜を有した試料であっても試料に電荷を蓄積することなく、微細パターンでかつ高アスペクト比のエッチングを行なう。【構成】被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有するエッチング処理ガスを減圧下でプラズマ化し、被エッチング材が配置される電極に直流電圧および周波数2MHz以上の高周波電圧を印加し、電極に生じるバイアス電圧を直流電圧の制御により高周波電圧の全振幅の1/2以下にするとともに臨界電位をはさんで変化させ、被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す。

請求項（抜粋）：

被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有するエッチング処理ガスを減圧下でプラズマ化する工程と、前記被エッチング材が配置される電極に直流電圧および周波数2MHz以上の高周波電圧を印加し、前記電極に生じるバイアス電圧を前記直流電圧の制御により前記高周波電圧の全振幅の1/2以下にするとともに前記臨界電位をはさんで変化させ、前記被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 B