特許
J-GLOBAL ID：200903074507736695
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156816
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004167
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 ダイ・ボンディング等の際の酸化防止や半田流れ防止の対策が不要で、簡単に製造することができる製造性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】 金属ベース22上に固着されたDBC23の上面に所定のパターンとなるよう設けられた薄板状の銅板27aの所定部分に半導体素子28を半田層29を介して固着すると共に、銅板27aの他の所定部分にニッケルめっきが施された金属端子片31を半田層29を介して固着し、この金属端子片31のめっき面と半導体素子28の対応する端子との間に金属細線32を超音波ボンディングにより接続するように構成することで、銅板27aに半導体素子28を固着する際、金属細線32をボンディングする部位が酸化しないよう還元雰囲気にしたり、金属細線32をボンディングする領域に半田が流れ出すのを防止するようにしたりする必要がなくなって、製造が簡単になる。
請求項（抜粋）：
金属ベース上に固着された絶縁基板と、この絶縁基板の上面に被着された導体薄板をパターニングすることによって形成された複数の導体パターン部と、この導体パターン部の少なくとも1つに半田付けにより固定され載置された半導体素子と、前記導体パターン部に半田付けにより固着された所定のめっき処理が施された金属端子片と、この金属端子片と前記半導体素子とにボンディングされた金属細線とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/48
, H01L 21/60 301
H01L 23/48 S
, H01L 23/48 G
, H01L 21/60 301 A
