特許
J-GLOBAL ID：200903074508140281
薄膜の形成方法および形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-330270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172990
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】 一定時間のスパッタリング法もしくは反応性スパッタリング法による薄膜堆積工程と、一定時間の堆積を行わない薄膜表面にプラズマによる励起反応種を与える工程を複数回交互に行うことにより、低温基板で良質な酸化物薄膜を得る。【構成】 膜堆積工程において、基板をターゲット17上に配置し、スパッタ蒸着により薄膜を基板18上に堆積形成する。スパッタされた粒子は基板に到達する際、その一部はプラズマ中の活性な酸素イオン・酸素ラジカル等の反応性粒子と接触反応して基板上において酸化物薄膜形成が行われる。酸化および堆積膜中の欠陥除去工程においては例えば基板ホルダー15を回転させるなどして、プラズマ処理用放電電極17によって発生された励起種・活性種が有効に照射され得る領域に置き基板表面およびその近傍において酸化反応を促進させる。
請求項（抜粋）：
薄膜の原材料となるターゲットのスパッタリングよる薄膜堆積方法において、第1の工程として、薄膜原料元素を含むガスまたはその放電プラズマとの化学反応を伴う反応性スパッタリング堆積工程と、第2の工程として、堆積工程を含まないか、もしくは第1の工程に比べて極めて堆積速度が小さくかつ少なくとも前記薄膜原料元素と反応するガスを含む気体雰囲気においてプラズマによる反応性ガスの分解励起を堆積表面もしくは表面近傍に生じさせる反応工程とを、複数回交互に行うことを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/40
, H01L 21/31
, H01L 21/316
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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