特許
J-GLOBAL ID：200903074508980280
電力用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028574
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188290
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】オン電圧が低い電力用半導体装置を提供する。【解決手段】IEGTである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にp型コレクタ層13、n型バッファー層14、n型ベース層15をこの順に設け、n型ベース層15上に、n型ベース層15の上面に平行な方向に沿ってメインセル21及びダミーセル22を交互に設ける。また、メインセル21とダミーセル22との間にトレンチゲート電極18を設ける。メインセル21においては、p型ベース層23を設け、その上層部分の一部にn型エミッタ層24を設ける。そして、ダミーセル22においては、トレンチゲート電極18が延びる方向に沿って、p型ダミー層26とn型ダミー層27とを交互に設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コレクタ電極と、
エミッタ電極と、
前記コレクタ電極に接続されたp型コレクタ層と、
前記p型コレクタ層上に設けられたn型ベース層と、
前記n型ベース層上に前記n型ベース層の上面に平行な方向に沿って配列されたメインセル及びダミーセルと、
前記メインセルと前記ダミーセルとの間に設けられたトレンチゲート電極と、
を備え、
前記メインセルは、
p型ベース層と、
前記p型ベース層の上層部分の一部に形成され、前記エミッタ電極に接続されたn型エミッタ層と、
を有し、
前記ダミーセルは、
p型ダミー層と、
n型ダミー層と、
を有することを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L29/78 652B
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 655A
